MIB30N65AT1Y-TP
产品详情
产品型号:
MIB30N65AT1Y-TP
所属分类:
描述:
IGBT DISCRETE,D2-PAK
封装:
Tape & Reel (TR)
RoHS状态:
Yes
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
等级
-
认证
-
集电极电流（Ic）（最大值）
40 A
输入类型
Standard
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
栅极电荷
160 nC
集电极脉冲电流 (Icm)
60 A
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
650 V
IGBT类型
Trench Field Stop
最大功率
136 W
反向恢复时间
114 ns
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 30A
开关能量
1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
58ns/93ns
测试条件
400V, 30A, 20Ohm, 15V
现货库存: 0
最小起订量 : 1
产品详情
数量
单价
总价
800
$0.88
$704
1600
$0.81
$1296
2400
$0.78
$1872
4000
$0.75
$3000
-
-
15603020686
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暂无数据